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第三版HBM2内存标准公布 单组堆叠容量可达24GB 三星、海力士已着手生产

三星与海力士都已经着手生产采第三版标准设计的HBM2内存,并且以HBM2E形式为称,其中由三星推出的Flashbolt HBM2E产品预计会在今年上半年进行量产,单组内存最大容量为16GB,在超频模式下更可让单一针脚传输频宽增加至4.2Gbps,单组堆叠内存的最大传输频宽则可达538GB/s。

首图

   

固态储存协会 (JEDEC)稍早宣布第三版HBM2内存标准JESD235C,将使针脚传输频宽增加至3.2Gbps,相比先前版本的2Gbps、2.4Gbps约提昇33%,同时以单组DIE可对应2GB储存容量,并且可对应堆叠12组DIE的情况,意味单组堆叠容量可达24GB,搭配1024位元传输频宽,最高可实现410GB/s传输频宽,若搭配可支持4组堆叠内存的GPU,即可发挥高达1.64TB/s传输频宽,意味可让GPU在短时间内对应处理更大影像资讯量。

 

 

而运作电压部分,第三版HBM2内存标准与第二版设计同为1.2V,相比第一代设计采1.35V更为省电。

 

在单一堆叠容量即可达24GB,若是搭配可支持4组堆叠内存的GPU,则可支持高达100GB内存容量,对于处理庞大影像资讯量的专业绘图卡,应用在电影特效,或是进行复杂科学分析研究,将会更加有利。

 

目前包含三星与海力士都已经着手生产采第三版标准设计的HBM2内存,并且以HBM2E形式为称,其中由三星推出的Flashbolt HBM2E产品预计会在今年上半年进行量产,单组内存最大容量为16GB,在超频模式下更可让单一针脚传输频宽增加至4.2Gbps,单组堆叠内存的最大传输频宽则可达538GB/s。



 
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